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FGH30T65UPDT-F155
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 650V 60A 250W TO247-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：FGH30T65UPDT-F155制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 650V 60A 250W TO247-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：不適用於新設計IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：90A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，30A功率-最大值：250W开关能量：760μJ（开），400μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：155nC25°C时Td（开/关）值：22ns/139ns测试条件：400V，30A，8 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：43ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购FGH30T65UPDT-F155，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
