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FGD4536TM
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
技术参数：IGBT 360V 125W DPAK
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技术参数详情：
制造商产品型号：FGD4536TM制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 360V 125W DPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟道电压-集射极击穿（最大值）：360V电流-集电极(Ic)（最大值）：-电流-集电极脉冲(Icm)：220A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，50A功率-最大值：125W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：47nC25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63现在可以订购FGD4536TM，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
