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FGA90N30DTU
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
技术参数：IGBT 300V 90A 219W TO3P
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技术参数详情：
制造商产品型号：FGA90N30DTU制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 300V 90A 219W TO3P系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：300V电流-集电极(Ic)（最大值）：90A电流-集电极脉冲(Icm)：220A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.4V @ 15V，20A功率-最大值：219W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：87nC25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：21ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3现在可以订购FGA90N30DTU，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
