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FGA50T65SHD
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
技术参数：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
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技术参数详情：
制造商产品型号：FGA50T65SHD制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：100A电流-集电极脉冲(Icm)：150A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A功率-最大值：319W开关能量：1.28mJ（开），384μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：87nC25°C时Td（开/关）值：22.4ns/73.6ns测试条件：400V，50A，6 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：34.6ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3现在可以订购FGA50T65SHD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
