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FDZ201N
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：12-BGA（2x2.5）
技术参数：MOSFET N-CH 20V 9A 12BGA
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDZ201N制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 20V 9A 12BGA系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 9A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1127pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：12-BGA（2x2.5）现在可以订购FDZ201N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
