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FDS9958
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
技术参数:MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
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技术参数详情:
制造商产品型号:FDS9958制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:PowerTrench?零件状态:有源FET类型:2 个 P 沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):2.9A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):105毫欧 @ 2.9A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1020pF @ 30V功率-最大值:900mW工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)现在可以订购FDS9958,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。