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FDS8958B_G
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDS8958B_G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：PowerTrench?零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.4A，4.5A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 6.4A，10V，51 毫欧 @ 4.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.8nC @ 4.5V，9.6nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：540pF @ 15V，760pF @ 15V功率-最大值：900mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购FDS8958B_G，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
