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FDME910PZT
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：MicroFet 1.6x1.6 薄型
技术参数：MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDME910PZT制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 8A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2110pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.1W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：MicroFet 1.6x1.6 薄型现在可以订购FDME910PZT，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
