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FDD8426H
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
技术参数:MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
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技术参数详情:
制造商产品型号:FDD8426H制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:PowerTrench?零件状态:停产FET类型:N 和 P 沟道FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):40V25°C时电流-连续漏极(Id):12A,10A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):12 毫欧 @ 12A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):53nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2735pF @ 20V功率-最大值:1.3W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD现在可以订购FDD8426H,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。