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FDD1600N10ALZD
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-252-4L
技术参数：MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDD1600N10ALZD制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.8A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 3.4A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.61nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：225pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：14.9W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252-4L现在可以订购FDD1600N10ALZD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
