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FAM65HR51DS2
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：-
技术参数：IGBT MODULE 650V 33A 135W
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技术参数详情：
制造商产品型号：FAM65HR51DS2制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT MODULE 650V 33A 135W系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：有源IGBT类型：-配置：半桥逆变器电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：33A功率-最大值：135W不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：-电流-集电极截止（最大值）：-不同?Vce时输入电容(Cies)：4.86nF @ 400V输入：标准NTC热敏电阻：无工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：-现在可以订购FAM65HR51DS2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
