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EFC6605R-TR
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-SMD，无引线
技术参数：MOSFET 2N-CH 6EFCP
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技术参数详情：
制造商产品型号：EFC6605R-TR制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET 2N-CH 6EFCP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：不適用於新設計FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源电压（Vdss）：-25°C时电流-连续漏极(Id)：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.8nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：1.6W工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-SMD，无引线现在可以订购EFC6605R-TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
