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ECH8402-TL-E
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:FET - 单,8-SMD
技术参数:MOSFET N-CH 30V 10A ECH8
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技术参数详情:
制造商产品型号: ECH8402-TL-E制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI,SANYO)功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 10A ECH8系列: -FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动漏源极电压(Vdss): 30V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10A(Ta)不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 15 毫欧 @ 5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 28nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1400pF @ 10V功率 - 最大值: 1.6W安装类型: 表面贴装产品封装: 8-SMD,扁平引线供应商器件封装: 8-ECH现在可以订购ECH8402-TL-E,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。