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ECH8306-TL-E
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：FET - 单，8-SMD
技术参数：MOSFET P-CH 100V 2A ECH8
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技术参数详情：
制造商产品型号: ECH8306-TL-E制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI，SANYO）功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 2A ECH8系列: -FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）: 100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 225 毫欧 @ 1A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1600pF @ 20V功率 - 最大值: 1.6W安装类型: 表面贴装产品封装: 8-SMD，扁平引线供应商器件封装: 8-ECH现在可以订购ECH8306-TL-E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
