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AFGY120T65SPD
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
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技术参数详情：
制造商产品型号：AFGY120T65SPD制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：160A电流-集电极脉冲(Icm)：360A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，120A功率-最大值：714W开关能量：6.6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：125nC25°C时Td（开/关）值：40ns/80ns测试条件：400V，120A，5 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：107ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购AFGY120T65SPD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
