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AFGHL75T65SQDC
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3 变式
技术参数：IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT
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技术参数详情：
制造商产品型号：AFGHL75T65SQDC制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：80A电流-集电极脉冲(Icm)：300A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A功率-最大值：375W开关能量：1.68mJ（开），1.11mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：139nC25°C时Td（开/关）值：24ns/107.2ns测试条件：400V，75A，4.7 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3 变式现在可以订购AFGHL75T65SQDC，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
