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AFGHL50T65SQD
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3 变式
技术参数：AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
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技术参数详情：
制造商产品型号：AFGHL50T65SQD制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：80A电流-集电极脉冲(Icm)：200A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A功率-最大值：268W开关能量：950μJ（开），460μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：102nC25°C时Td（开/关）值：20ns/81ns测试条件：400V，50A，4.7 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3 变式现在可以订购AFGHL50T65SQD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
