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AFGB40T65SQDN
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：650V/40A FS4 IGBT TO263 A
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技术参数详情：
制造商产品型号：AFGB40T65SQDN制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：650V/40A FS4 IGBT TO263 A系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：80A电流-集电极脉冲(Icm)：160A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，40A功率-最大值：238W开关能量：858μJ（开），229μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：76nC25°C时Td（开/关）值：17.6ns/75.2ns测试条件：400V，40A，6 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：131ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB现在可以订购AFGB40T65SQDN，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
