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2SJ683-TL-E
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：FET - 单，3-SMD
技术参数：MOSFET P-CH 60V 65A ZP
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技术参数详情：
制造商产品型号: 2SJ683-TL-E制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI，SANYO）功能总体简述: MOSFET P-CH 60V 65A ZP系列: -FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 65A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 10.5 毫欧 @ 33A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 290nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 15500pF @ 20V功率 - 最大值: 50W安装类型: 表面贴装产品封装: 3-SMD，扁平引线供应商器件封装: ZP现在可以订购2SJ683-TL-E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
